Por Rodrigo Lima em 01/Jul/2011
A IBM anunciou nesta sexta-feira, 1 de julho, em Zurich, o desenvolvimento de um novo tipo de memória, chamada Phase Change Memory (PCM). Segundo a empresa, a memória possui velocidade de leitura e gravação 100 vezes maiores do que as atuais memórias flash.
A tecnologia resiste a 10 milhões de ciclos de uso, uma quantidade que é superior à da memória flash, que chega a apenas 3 mil. Além disto, esta PCM é baseada em uma liga metálica, onde é possível conduzir diferentes estados físicos ou fases ao controlar o fluxo de eletricidade. As antigas memórias sofriam com um tipo de problema, que causava o relaxamento destes estados físicos, provocando o aumento de resistência elétrica.
Conforme o tempo passava, esse tipo de problema acarretava em outro: o de leitura. Além disto, uma célula baseada nesse tipo de liga armazena apenas um bit. A PCM armazena diversos bits por célula, e não perde dados, caso a energia seja cortada.
Este dispositivo foi desenvolvido por pesquisadores nos Estados Unidos e na Suíça. Alguns testes estão sendo feitos há cinco meses, e o "nível de confiabilidade é alto", segundo a IBM. A memória PCM deverá estar disponível no mercado dentro de cinco anos.
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